Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 30V | 24.5A | Idm: 70A

EB Koodi: EB309134958

Valmistajan tuotekoodi: 
SIRA18ADP-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 0,43 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current24.5A
Pulsed drain current70A
Power dissipation9.4W
CasePowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20V
On-state resistance13.5mΩ
MountingSMD
Gate charge21.5nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced