Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -0.19A | 170mW | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -0.19A | 170mW | SOT23
EB Koodi: EB890128907
Valmistajan tuotekoodi: BSH201,215
Valmistajan tuotekoodi:
BSH201,215
Valmistaja, merkki: NEXPERIA
Valmistaja, merkki:
NEXPERIA
0,52 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -0.19A |
Power dissipation | 0.17W |
Case | SOT23 |
Case | TO236AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 4.25Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 3nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | logic level |