Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -35A | Idm: -140A | 35W | TO252AA
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -35A | Idm: -140A | 35W | TO252AA
EB Koodi: EB1478455538
Valmistajan tuotekoodi: PJD35P03_L2_00001
Valmistajan tuotekoodi:
PJD35P03_L2_00001
Valmistaja, merkki: PanJit Semiconductor
Valmistaja, merkki:
PanJit Semiconductor
0,78 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -35A |
Pulsed drain current | -140A |
Power dissipation | 35W |
Case | TO252AA |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 30mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 11nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |