Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -3.6A | Idm: -15A

EB Koodi: EB614721656

Valmistajan tuotekoodi: 
SI2319DDS-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 0,63 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-3.6A
Pulsed drain current-15A
Power dissipation1.7W
CaseSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.1Ω
MountingSMD
Gate charge19nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced