Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -8A | Idm: -50A

EB Koodi: EB1537654960

Valmistajan tuotekoodi: 
SI3421DV-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 0,79 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-8A
Pulsed drain current-50A
Power dissipation2.7W
CaseTSOP6
Gate-source voltage±20V
On-state resistance19.2mΩ
MountingSMD
Gate charge69nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced