Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -18A | Idm: -100A

EB Koodi: EB448569584

Valmistajan tuotekoodi: 
SI7153DN-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 0,58  
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
-+

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-18A
Pulsed drain current-100A
Power dissipation52W
CasePowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±25V
On-state resistance15mΩ
MountingSMD
Gate charge62nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced