Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -18A | Idm: -100A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -18A | Idm: -100A
EB Koodi: EB448569584
Valmistajan tuotekoodi: SI7153DN-T1-GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SI7153DN-T1-GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
0,58 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -18A |
Pulsed drain current | -100A |
Power dissipation | 52W |
Case | PowerPAK® 1212-8 |
Gate-source voltage | ±25V |
On-state resistance | 15mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 62nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |