Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 1.9A | 24W | PG-TO252-3

EB Koodi: EB1511695948

Valmistajan tuotekoodi: 
IPD80R2K0P7ATMA1

Valmistaja, merkki: 
INFINEON TECHNOLOGIES

1,20 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current1.9A
Power dissipation24W
CasePG-TO252-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2Ω
MountingSMD
Gate charge9nC
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesESD protected gate