Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 1.8A | 1.06W | SOT23

EB Koodi: EB1907120140

Valmistajan tuotekoodi: 
SI2308BDS-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 0,77 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current1.8A
Power dissipation1.06W
CaseSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance192mΩ
MountingSMD
Gate charge2.3nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced