Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 0.4A | 3.3W | SOT223

EB Koodi: EB1258367434

Valmistajan tuotekoodi: 
STN1HNK60

Valmistaja, merkki: 
STMicroelectronics

0,50 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
-+

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current0.4A
Power dissipation3.3W
CaseSOT223
Gate-source voltage±30V
On-state resistance8.5Ω
MountingSMD
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesESD protected gate