Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 30V | 1.7A | Idm: 6.7A
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 30V | 1.7A | Idm: 6.7A
EB Koodi: EB128453787
Valmistajan tuotekoodi: SQ1470AEH-T1_GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SQ1470AEH-T1_GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
1,10 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 1.7A |
Pulsed drain current | 6.7A |
Power dissipation | 3.3W |
Case | SC70 |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 0.115Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 5.2nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |