Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 20V | 0.8A | Idm: 4A | 350mW
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 20V | 0.8A | Idm: 4A | 350mW
EB Koodi: EB743744791
Valmistajan tuotekoodi: PMZB290UNE2YL
Valmistajan tuotekoodi:
PMZB290UNE2YL
Valmistaja, merkki: NEXPERIA
Valmistaja, merkki:
NEXPERIA
0,45 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 0.8A |
Pulsed drain current | 4A |
Power dissipation | 0.35W |
Case | DFN1006B-3 |
Case | SOT883B |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 1.19Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 1.4nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |