Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET + Schottky | TrenchFET® | unipolar | 25V | 60A

EB Koodi: EB964911590

Valmistajan tuotekoodi: 
SIRC16DP-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 1,50 € 
Hinta ilma ALV: tä / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET + Schottky
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25V
Drain current60A
Pulsed drain current250A
Power dissipation34.7W
CasePowerPAK® SO8
Gate-source voltage-16...20V
On-state resistance1.4mΩ
MountingSMD
Gate charge105nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement