Tulkot latviski
Transistor: N/P-MOSFET x2 | unipolar | 100/-100V | 0.9/-0.7A | 0.87W
Transistor: N/P-MOSFET x2 | unipolar | 100/-100V | 0.9/-0.7A | 0.87W
EB Koodi: EB1710358281
Valmistajan tuotekoodi: ZXMHC10A07N8TC
Valmistajan tuotekoodi:
ZXMHC10A07N8TC
Valmistaja, merkki: DIODES INCORPORATED
Valmistaja, merkki:
DIODES INCORPORATED
1,70 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N/P-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100/-100V |
Drain current | 0.9/-0.7A |
Power dissipation | 0.87W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.9/1.45Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | MOSFET H-Bridge |