Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 500mA | Idm: 2A
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 500mA | Idm: 2A
EB Kood: EB1818259646
Tootja kauba kood: P0R5B60HP2-5071
Tootja kauba kood:
P0R5B60HP2-5071
Tootja, kaubamärk: SHINDENGEN
Tootja, kaubamärk:
SHINDENGEN
1,10 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Hi-PotMOS2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 0.5A |
Pulsed drain current | 2A |
Power dissipation | 35W |
Case | FB (TO252AA) |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 10Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 4.3nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |