Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 140W | TO268
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 140W | TO268
EB Kood: EB1052532185
Tootja kauba kood: IXBT10N170
Tootja kauba kood:
IXBT10N170
Tootja, kaubamärk: IXYS
Tootja, kaubamärk:
IXYS
14,66 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | IGBT |
Technology | BiMOSFET™ |
Collector-emitter voltage | 1.7kV |
Collector current | 10A |
Power dissipation | 140W |
Case | TO268 |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 40A |
Mounting | SMD |
Gate charge | 30nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 63ns |
Turn-off time | 1.8µs |
Features of semiconductor devices | high voltage |