Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SPLIT GATE TRENCH | unipolar | 60V | 50A | 38W
Transistor: N-MOSFET | SPLIT GATE TRENCH | unipolar | 60V | 50A | 38W
EB Код: EB227582154
Код товара производителя: YJG80G06A
Код товара производителя:
YJG80G06A
Производитель, бренд: YANGJIE TECHNOLOGY
Производитель, бренд:
YANGJIE TECHNOLOGY
1,42 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SPLIT GATE TRENCH |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 50A |
Pulsed drain current | 320A |
Power dissipation | 38W |
Case | DFN5060-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 5mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 67nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |