Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 40A | Idm: 200A | 333W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 40A | Idm: 200A | 333W
EB Код: EB502684025
Код товара производителя: S3M0040120B
Код товара производителя:
S3M0040120B
Производитель, бренд: SMC DIODE SOLUTIONS
Производитель, бренд:
SMC DIODE SOLUTIONS
8,46 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 40A |
| Pulsed drain current | 200A |
| Power dissipation | 333W |
| Case | T2PAK |
| Gate-source voltage | -4...18V |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 143nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |