Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 650V | 20A | 114W | TO220 | Eoff: 0.27mJ | Eon: 0.47mJ
Transistor: IGBT | 650V | 20A | 114W | TO220 | Eoff: 0.27mJ | Eon: 0.47mJ
EB Код: EB105401428
Код товара производителя: AOT20B65M1
Код товара производителя:
AOT20B65M1
Производитель, бренд: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Производитель, бренд:
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
2,24 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 650V |
Collector current | 20A |
Power dissipation | 114W |
Case | TO220 |
Gate-emitter voltage | ±30V |
Pulsed collector current | 60A |
Mounting | THT |
Gate charge | 46nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 51ns |
Turn-off time | 135ns |
Collector-emitter saturation voltage | 1.7V |
Turn-off switching energy | 0.27mJ |
Turn-on switching energy | 0.47mJ |