Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 500V | 40A | Idm: 160A | 416W
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 500V | 40A | Idm: 160A | 416W
EB Kods: EB790430395
Ražotāja preces kods: WMJ40N50D1
Ražotāja preces kods:
WMJ40N50D1
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
8,30 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | WMOS™ D1 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500V |
| Drain current | 40A |
| Pulsed drain current | 160A |
| Power dissipation | 416W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.1Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 165.3nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |