Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 39A | Idm: 156A | 250W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 39A | Idm: 156A | 250W
EB Kods: EB631783144
Ražotāja preces kods: PSMN057-200P,127
Ražotāja preces kods:
PSMN057-200P,127
Ražotājs, zīmols: NEXPERIA
Ražotājs, zīmols:
NEXPERIA
4,24 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 200V |
Drain current | 39A |
Pulsed drain current | 156A |
Power dissipation | 250W |
Case | SOT78 |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 41mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 96nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |