Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -100V | -1A | 1.8W | PG-SOT223
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -100V | -1A | 1.8W | PG-SOT223
EB Kods: EB1143895123
Ražotāja preces kods: BSP322PH6327XTSA1
Ražotāja preces kods:
BSP322PH6327XTSA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,30 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | SIPMOS™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -100V |
Drain current | -1A |
Power dissipation | 1.8W |
Case | PG-SOT223 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.8Ω |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |