Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 55V | 175A | 330W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 55V | 175A | 330W | TO220AB
EB Kods: EB1824000269
Ražotāja preces kods: IRF2805PBF
Ražotāja preces kods:
IRF2805PBF
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
2,39 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 55V |
Drain current | 175A |
Power dissipation | 330W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 4.7mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 150nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |