Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -5.7A | Idm: -30A | 0.9W | SO8
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -5.7A | Idm: -30A | 0.9W | SO8
EB Kods: EB1854272790
Ražotāja preces kods: SI4431BDY-T1-E3
Ražotāja preces kods:
SI4431BDY-T1-E3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,52 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -5.7A |
Pulsed drain current | -30A |
Power dissipation | 0.9W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 30mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 20nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |