Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 20A | Idm: 116A | 68W | PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 20A | Idm: 116A | 68W | PG-TO252-3
EB Kods: EB2074585551
Ražotāja preces kods: IPD350N06LGBTMA1
Ražotāja preces kods:
IPD350N06LGBTMA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,19 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | OptiMOS™ 3 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 20A |
Pulsed drain current | 116A |
Power dissipation | 68W |
Case | PG-TO252-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 35mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 13nC |
Kind of channel | enhanced |