Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 500V | 5A | Idm: 20A
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 500V | 5A | Idm: 20A
EB Kods: EB118765470
Ražotāja preces kods: P5F50HP2-5600
Ražotāja preces kods:
P5F50HP2-5600
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
1,14 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Hi-PotMOS2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 500V |
Drain current | 5A |
Pulsed drain current | 20A |
Power dissipation | 52.5W |
Case | FTO-220AG (SC91) |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 1.6Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 10.5nC |
Kind of package | bulk |
Kind of channel | enhanced |