Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 650V | 50A | 714W | TO247
Transistor: IGBT | 650V | 50A | 714W | TO247
EB Kods: EB1596128762
Ražotāja preces kods: DG50X07T2
Ražotāja preces kods:
DG50X07T2
Ražotājs, zīmols: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
STARPOWER SEMICONDUCTOR
5,69 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 650V |
Collector current | 50A |
Power dissipation | 714W |
Case | TO247 |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 150A |
Mounting | THT |
Gate charge | 0.35µC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 36ns |
Turn-off time | 200ns |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |