Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -4A | Idm: -10A | 2W | SOT23F | ESD
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -4A | Idm: -10A | 2W | SOT23F | ESD
EB Kods: EB1231698638
Ražotāja preces kods: SSM3J331R,LF
Ražotāja preces kods:
SSM3J331R,LF
Ražotājs, zīmols: TOSHIBA
Ražotājs, zīmols:
TOSHIBA
0,22 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -4A |
Pulsed drain current | -10A |
Power dissipation | 2W |
Case | SOT23F |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 0.15Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |