Tulkot latviski
Transistor: NPN | bipolar | BRT | 50V | 0.1A | 0.2/0.3W | SOT416 | R1: 10kΩ
Transistor: NPN | bipolar | BRT | 50V | 0.1A | 0.2/0.3W | SOT416 | R1: 10kΩ
EB Kods: EB868059173
Ražotāja preces kods: DTC114EET1G
Ražotāja preces kods:
DTC114EET1G
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
0,15 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | NPN |
Polarisation | bipolar |
Kind of transistor | BRT |
Collector-emitter voltage | 50V |
Collector current | 0.1A |
Power dissipation | 0.2/0.3W |
Case | SOT416 |
Current gain | 35...60 |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Base resistor | 10kΩ |
Base-emitter resistor | 10kΩ |