Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 1.2A | Idm: 10A | 0.4W | SOT23-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 1.2A | Idm: 10A | 0.4W | SOT23-3
EB Kods: EB231198601
Ražotāja preces kods: DMN6140LQ-13
Ražotāja preces kods:
DMN6140LQ-13
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,26 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 1.2A |
Pulsed drain current | 10A |
Power dissipation | 0.4W |
Case | SOT23-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.17Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 8.6nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Application | automotive industry |