Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 2.6A | Idm: 15.6A | 2.5W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 2.6A | Idm: 15.6A | 2.5W
EB Kods: EB1342302864
Ražotāja preces kods: BXS1150N10M
Ražotāja preces kods:
BXS1150N10M
Ražotājs, zīmols: BRIDGELUX
Ražotājs, zīmols:
BRIDGELUX
0,70 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 2.6A |
Pulsed drain current | 15.6A |
Power dissipation | 2.5W |
Case | SOT23-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.15Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 16.3nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |