Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -200V | -68A | 568W | 245ns
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -200V | -68A | 568W | 245ns
EB Kods: EB1890831961
Ražotāja preces kods: IXTH68P20T
Ražotāja preces kods:
IXTH68P20T
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
19,75 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchP™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -200V |
Drain current | -68A |
Power dissipation | 568W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | ±15V |
On-state resistance | 55mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 380nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 245ns |