Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 1A | Idm: 2.6A | 13W | IPAK | ESD
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 1A | Idm: 2.6A | 13W | IPAK | ESD
EB Kods: EB2085366218
Ražotāja preces kods: IPU80R4K5P7AKMA1
Ražotāja preces kods:
IPU80R4K5P7AKMA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,89 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | CoolMOS™ P7 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800V |
| Drain current | 1A |
| Pulsed drain current | 2.6A |
| Power dissipation | 13W |
| Case | IPAK |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 4.5Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 4nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Version | ESD |