Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.7kV | 6A | Idm: 16A | 88W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.7kV | 6A | Idm: 16A | 88W
EB Kods: EB1433660227
Ražotāja preces kods: G3R450MT17D
Ražotāja preces kods:
G3R450MT17D
Ražotājs, zīmols: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
GeneSiC SEMICONDUCTOR
10,87 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | G3R™ |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.7kV |
Drain current | 6A |
Pulsed drain current | 16A |
Power dissipation | 88W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -5...15V |
On-state resistance | 0.45Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 18nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |