Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -4A | 2W | SO8
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -4A | 2W | SO8
EB Kods: EB1743955817
Ražotāja preces kods: SI9933CDY-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI9933CDY-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,06 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -4A |
Power dissipation | 2W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 58mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |