Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench™ | unipolar | 100V | 160A | 430W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | Trench™ | unipolar | 100V | 160A | 430W | TO220AB
EB Kods: EB2052964031
Ražotāja preces kods: IXTP160N10T
Ražotāja preces kods:
IXTP160N10T
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
7,33 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 160A |
Power dissipation | 430W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 7mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 132nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 60ns |