Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 0.12A | 1.8W | SOT223
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 0.12A | 1.8W | SOT223
EB Kods: EB1309500619
Ražotāja preces kods: BSP125H6327XTSA1
Ražotāja preces kods:
BSP125H6327XTSA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,14 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SIPMOS™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 0.12A |
Power dissipation | 1.8W |
Case | SOT223 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 45Ω |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |