Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 500V | 8A | Idm: 32A | 65W
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 500V | 8A | Idm: 32A | 65W
EB Kods: EB1614229194
Ražotāja preces kods: P8F50HP2-5600
Ražotāja preces kods:
P8F50HP2-5600
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
1,12 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500V |
| Drain current | 8A |
| Pulsed drain current | 32A |
| Power dissipation | 65W |
| Case | FTO-220AG (SC91) |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 1Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 15nC |
| Kind of package | bulk |
| Kind of channel | enhanced |