Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 11.2A | 3.2W | SO8
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 11.2A | 3.2W | SO8
EB Kods: EB1646880518
Ražotāja preces kods: SI4134DY-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI4134DY-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,23 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 11.2A |
Power dissipation | 3.2W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 14mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 7.3nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |