Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 250mA | Idm: 1A | 200/350mW | ESD
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 250mA | Idm: 1A | 200/350mW | ESD
EB Kods: EB1385353787
Ražotāja preces kods: RK7002BMT116
Ražotāja preces kods:
RK7002BMT116
Ražotājs, zīmols: ROHM SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
ROHM SEMICONDUCTOR
0,27 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.25A |
Pulsed drain current | 1A |
Power dissipation | 200/350mW |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2.4Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |