Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 280V | 26A | Idm: 104A
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 280V | 26A | Idm: 104A
EB Kods: EB1692109449
Ražotāja preces kods: P26F28HP2-5600
Ražotāja preces kods:
P26F28HP2-5600
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
2,47 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 280V |
| Drain current | 26A |
| Pulsed drain current | 104A |
| Power dissipation | 90W |
| Case | FTO-220AG (SC91) |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.15Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 24.5nC |
| Kind of package | bulk |
| Kind of channel | enhanced |