Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 12A | Idm: 48A | 90W
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 12A | Idm: 48A | 90W
EB Kods: EB2042978620
Ražotāja preces kods: P12F60HP2-5600
Ražotāja preces kods:
P12F60HP2-5600
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
1,70 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Hi-PotMOS2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 12A |
Pulsed drain current | 48A |
Power dissipation | 90W |
Case | FTO-220AG (SC91) |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 670mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 26.5nC |
Kind of package | bulk |
Kind of channel | enhanced |