Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 900V | 2.5A | 125W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 900V | 2.5A | 125W | TO220AB
EB Kods: EB1435056800
Ražotāja preces kods: DMN90H8D5HCT
Ražotāja preces kods:
DMN90H8D5HCT
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
1,28 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 900V |
Drain current | 2.5A |
Power dissipation | 125W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 7Ω |
Mounting | THT |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |