Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 65A | 1.04kW | PLUS247™
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 65A | 1.04kW | PLUS247™
EB Kods: EB1125152496
Ražotāja preces kods: IXBX75N170A
Ražotāja preces kods:
IXBX75N170A
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
83,87 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 8 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | IGBT |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Collector current | 65A |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Case | PLUS247™ |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 300A |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 358nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 65ns |
| Turn-off time | 595ns |
| Features of semiconductor devices | high voltage |