Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 1.9A | 2W | SOT223
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 1.9A | 2W | SOT223
EB Kods: EB2001374767
Ražotāja preces kods: ZXMN10A11GTA
Ražotāja preces kods:
ZXMN10A11GTA
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
1,29 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 1.9A |
Power dissipation | 2W |
Case | SOT223 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.45Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |