Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET x2 | TRENCH POWER LV | unipolar | -20V | -3A
Transistor: P-MOSFET x2 | TRENCH POWER LV | unipolar | -20V | -3A
EB Kods: EB681486853
Ražotāja preces kods: YJS2301A
Ražotāja preces kods:
YJS2301A
Ražotājs, zīmols: YANGJIE TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
YANGJIE TECHNOLOGY
0,11 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET x2 |
Technology | TRENCH POWER LV |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -3A |
Pulsed drain current | -16A |
Power dissipation | 1.3W |
Case | SOT23-6 |
Gate-source voltage | ±10V |
On-state resistance | 95mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 4.3nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |