Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 650V | 4A | Idm: 16A | 112W
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 650V | 4A | Idm: 16A | 112W
EB Kods: EB148858180
Ražotāja preces kods: WMK4N65D1B
Ražotāja preces kods:
WMK4N65D1B
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,38 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | WMOS™ D1 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 650V |
Drain current | 4A |
Pulsed drain current | 16A |
Power dissipation | 112W |
Case | TO220-3 |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 2.2Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 14.5nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |