Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 3.6A | Idm: 15A | 1.1W | SOT23

EB Kods: EB466817412

Ražotāja preces kods: 
SI2300DS-T1-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

 0,56 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current3.6A
Pulsed drain current15A
Power dissipation1.1W
CaseSOT23
Gate-source voltage±12V
On-state resistance68mΩ
MountingSMD
Gate charge10nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement