Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 85A | Idm: 250A | 340W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 85A | Idm: 250A | 340W
EB Kods: EB1647407610
Ražotāja preces kods: DIW120SIC022-AQ
Ražotāja preces kods:
DIW120SIC022-AQ
Ražotājs, zīmols: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
74,34 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 85A |
Pulsed drain current | 250A |
Power dissipation | 340W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -4...18V |
On-state resistance | 28mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 269nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Application | automotive industry |