Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 2.1A | Idm: 11.8A | 0.625W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 2.1A | Idm: 11.8A | 0.625W | SOT23
EB Kods: EB729678258
Ražotāja preces kods: ZXMN2B01FTA
Ražotāja preces kods:
ZXMN2B01FTA
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,62 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 2.1A |
Pulsed drain current | 11.8A |
Power dissipation | 0.625W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 0.1Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |