Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 500V | 17A | Idm: 112A | 310W | TO3PN

EB Kods: EB1999303026

Ražotāja preces kods: 
FDA28N50

Ražotājs, zīmols: 
ONSEMI

 7,05 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyDMOS
TechnologyUniFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current17A
Pulsed drain current112A
Power dissipation310W
CaseTO3PN
Gate-source voltage±30V
On-state resistance155mΩ
MountingTHT
Gate charge105nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement